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DUV两次曝光来做7nm,最初台积电18年用来做7nm的技术,良品率低,功耗大,性能不佳,9000s的core性能和2,3年前的的产品相当,手机背面的散热片面积巨大。后来台积电拿到EUV后就直接用EUV一次曝光做7nm了,此技术淘汰。中芯据说是反向工程或者是挖了台积电的员工获得此技术,被台积电起诉盗窃IP,现在还在打官司。美国可能并不会制裁中芯代工,因为用DUV多次曝光做到7nm已经是极限了,在拿不到/做不出EUV的情况下,就无法再进一步发展,现在最新工艺都是3nm,2nm了,而且此技术从市场成本上来说根本不合算,当然政治优先的情况是另一回事。你说比原来水平提高了确实没错,但是整天嚷嚷着“遥遥领先”就是搞笑了,等先把设备,工艺,耗材都换成自己的时候再吹 .
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