系列讲座：MOSFET and BJT device physics这个系列讲座的目的是从与通常教科书略微不同的角度讨论几个重要的器件物理问题，重点放在讲解物理过程，而不是推导公式。 1. 简介 http://video.google.com/videoplay?docid=8492467870541682245&hl=en 2. MOSFET Vth 的物理意义 http://video.google.com/videoplay?docid=7226340584650956417&hl=en 3. MOSFET Vth 的构成 （待续） 4. MOSFET 的饱和区(Saturation region) 5. P-N结电流的由来 （待续） 6. BJT（双极晶体管）放大功能的由来 （待续） 更多课题待续。 google video的清晰度有限，请谅解。欢迎大家批评指教。

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